Утечка технологических данных Samsung DRAM в Китай: подробности шпионского скандала

|
Утечка технологических данных Samsung DRAM в Китай: подробности шпионского скандала

Samsung DRAM leak

Об этом сообщает KURAZH

Возник резонансный случай промышленного шпионажа, в результате которого южнокорейский гигант Samsung оказался в центре международного скандала из-за утечки технологической информации о производстве чипов оперативной памяти (DRAM).

Обвинения против бывшего инженера Samsung

Прокуратура Южной Кореи официально обвинила бывшего инженера Samsung в передаче секретных производственных данных китайской компании ChangXin Memory Technologies. По данным следствия, сотрудник на протяжении пяти лет систематически фиксировал в блокноте критически важную техническую информацию, обходя мощную систему цифровой безопасности Samsung.

В украденные данные входили подробные настройки производственных процессов, в частности соотношение газовых потоков, параметры фотосенсора, применяемые на ключевых стадиях литографии и осаждения, а также другие уникальные технологические характеристики.

Последствия для Samsung и рынка памяти

«В результате, Samsung и экономика Южной Кореи понесли убытки в размере триллионов вон, а ChangXin Memory Technologies получила возможность обойти более 600 этапов производства и за два года раньше запланированного срока наладила выпуск собственной оперативной памяти, став крупнейшим китайским производителем, и теперь претендует на захват до 15% мирового рынка DRAM».

Благодаря полученной информации компании ChangXin Memory Technologies удалось значительно сократить путь к массовому производству собственной DRAM. По оценкам экспертов, это позволило китайскому производителю запустить собственное производство раньше запланированного срока и существенно повлиять на глобальное распределение сил в сегменте оперативной памяти. Теперь компания претендует на до 15% мирового рынка DRAM, а потери Samsung и Южной Кореи оцениваются в триллионы вон.